标题:NXP恩智浦MRFE6VP61K25HR5芯片RF MOSFET LDMOS 50V NI1230的技术与应用介绍 NXP恩智浦的MRFE6VP61K25HR5芯片,搭载了RF MOSFET LDMOS 50V NI1230技术,是一款高性能的无线射频(RF)模块。该芯片在无线通信设备中广泛应用,尤其在物联网(IoT)领域,发挥着不可或缺的角色。 LDMOS(Lateral Directional Metal-Oxide-Semiconductor)是一种金属氧化物半导体晶体管,具有优良
NXP Semiconductors MRFE6VP61K25HR5
2024-01-10MRFE6VP61K25HR5 图像仅供参考 请参阅产品规格 编号: 841-MRFE6VP61K25HR5 制造商编号: MRFE6VP61K25HR5 制造商: NXP Semiconductors NXP Semiconductors 客户编号: 说明: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H 数据表: MRFE6VP61K25HR5 数据表 (PDF) ECAD模型: 下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具
