欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:NXP(恩智浦)半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > SOT-MRAM

SOT-MRAM 相关话题

TOPIC

台积电近日宣布,与工研院合作开发出自旋轨道转矩磁性存储器(SOT-MRAM)阵列芯片,该芯片具有极低的功耗,仅为其他类似技术的1%。这一创新技术为次世代存储器领域带来了新的突破。 SOT-MRAM阵列芯片采用先进的制程技术,台积电已经成功开发出22纳米、16/12纳米制程等相关产品线。这些制程技术的应用使得芯片具有更高的集成度和更低的功耗。此外,该芯片还采用了创新的运算架构,进一步优化了功耗和性能。 台积电凭借其在半导体制造领域的领先地位和技术实力,一直在积极布局存储器市场。此次开发的SOT-
据报道,全球领先的半导体制造公司台积电在次世代MRAM存储器相关技术方面取得了重大进展。该公司成功开发出自旋轨道转矩磁性存储器(SOT-MRAM)阵列芯片,并搭配创新的运算架构,使其功耗仅为其他类似技术的1%。 台积电在MRAM技术上的突破,特别是在22纳米、16/12纳米制程等领域,进一步巩固了其在存储器市场的领先地位。此外,该公司还成功获得了存储器、车用等市场的订单,进一步证明了其在技术创新和市场应用方面的实力。 这一技术突破对于整个半导体行业来说都具有重要意义。随着5G、物联网、人工智能
台积电近日宣布,与工研院共同研发出一种名为自旋轨道转矩磁性内存(SOT-MRAM)的阵列芯片。这一技术成果为台积电在AI和高性能运算(HPC)市场抢占先机提供了新的竞争优势。 台积电在MRAM技术方面已经取得了显著进展,成功研发了22纳米、16/12纳米工艺的MRAM产品线,并积累了大量内存和车用市场订单。此次推出的SOT-MRAM将进一步巩固其在市场中的领先地位。 这款SOT-MRAM芯片由台积电和工研院共同设计,实现了极快的工作速度,达到10纳秒,远高于传统的内存芯片。这一创新突破了MRA
据报道,台积电股份有限公司与工业技术研究院合作研发出名为“自旋轨道力矩式磁性内存” (SOT-MRAM) 的下一代 MRAM 存储器,搭载创新算法,能源消耗较同类技术 STT-MRAM 降低了约百分之九十九,这将有效提升其在AI和高性能计算(HPC)领域的竞争力。 鉴于AI、5G新时代的到来以及自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用对更高效率、稳定性和更低功耗的内存的需求愈发紧迫,如磁阻式随机存取内存(MRAM)这样的新一代内存技术已成为众多厂商争相研发的重点。 作为全球半导体巨头之一,台
最近,Imec 公布的超大规模自旋轨道转移 MRAM (SOT-MRAM) 器件已实现创纪录的性能,每比特开关能量低于 100 飞焦耳,耐用性超过 10 的 15 次方。 这些结果使得 SOT-MRAM 成为替代 SRAM 作为高性能计算 (HPC) 应用中最后一级缓存的有希望的候选者。就像 SRAM 一样,它提供高开关速度(在亚纳秒范围内)和无限的耐用性。 此外,由于是非易失性,SOT-MRAM 位单元在高单元密度下可实现比 SRAM 更低的待机功耗。此外,SOT-MRAM 位单元可以做得比
  • 共 1 页/5 条记录