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台积电近日宣布，与工研院合作开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，该芯片具有极低的功耗，仅为其他类似技术的1%。这一创新技术为次世代存储器领域带来了新的突破。 SOT-MRAM阵列芯片采用先进的制程技术，台积电已经成功开发出22纳米、16/12纳米制程等相关产品线。这些制程技术的应用使得芯片具有更高的集成度和更低的功耗。此外，该芯片还采用了创新的运算架构，进一步优化了功耗和性能。 台积电凭借其在半导体制造领域的领先地位和技术实力，一直在积极布局存储器市场。此次开发的SOT-

据报道，全球领先的半导体制造公司台积电在次世代MRAM存储器相关技术方面取得了重大进展。该公司成功开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，并搭配创新的运算架构，使其功耗仅为其他类似技术的1%。 台积电在MRAM技术上的突破，特别是在22纳米、16/12纳米制程等领域，进一步巩固了其在存储器市场的领先地位。此外，该公司还成功获得了存储器、车用等市场的订单，进一步证明了其在技术创新和市场应用方面的实力。 这一技术突破对于整个半导体行业来说都具有重要意义。随着5G、物联网、人工智能

台积电近日宣布，与工研院共同研发出一种名为自旋轨道转矩磁性内存（SOT-MRAM）的阵列芯片。这一技术成果为台积电在AI和高性能运算（HPC）市场抢占先机提供了新的竞争优势。 台积电在MRAM技术方面已经取得了显著进展，成功研发了22纳米、16/12纳米工艺的MRAM产品线，并积累了大量内存和车用市场订单。此次推出的SOT-MRAM将进一步巩固其在市场中的领先地位。 这款SOT-MRAM芯片由台积电和工研院共同设计，实现了极快的工作速度，达到10纳秒，远高于传统的内存芯片。这一创新突破了MRA

据报道，台积电股份有限公司与工业技术研究院合作研发出名为“自旋轨道力矩式磁性内存” （SOT-MRAM） 的下一代 MRAM 存储器，搭载创新算法，能源消耗较同类技术 STT-MRAM 降低了约百分之九十九，这将有效提升其在AI和高性能计算（HPC）领域的竞争力。 鉴于AI、5G新时代的到来以及自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用对更高效率、稳定性和更低功耗的内存的需求愈发紧迫，如磁阻式随机存取内存（MRAM）这样的新一代内存技术已成为众多厂商争相研发的重点。 作为全球半导体巨头之一，台

最近，Imec 公布的超大规模自旋轨道转移 MRAM (SOT-MRAM) 器件已实现创纪录的性能，每比特开关能量低于 100 飞焦耳，耐用性超过 10 的 15 次方。 这些结果使得 SOT-MRAM 成为替代 SRAM 作为高性能计算 (HPC) 应用中最后一级缓存的有希望的候选者。就像 SRAM 一样，它提供高开关速度（在亚纳秒范围内）和无限的耐用性。 此外，由于是非易失性，SOT-MRAM 位单元在高单元密度下可实现比 SRAM 更低的待机功耗。此外，SOT-MRAM 位单元可以做得比